Módulos fotovoltaicos tipo N

Módulos fotovoltaicos tipo N

Marca: Trinasolar
Número de modelo: TSM-NEG21C.20
Dimensiones del módulo: 2384×1303×33 mm
No. de celdas: 132 celdas
Eficiencia del panel: 22,1%
Envíeconsulta
Descripción

 

 

Introducción del producto
 

Elaborados sobre un sustrato de silicio monocristalino tipo n, nuestros módulos fotovoltaicos tipo N implementan una arquitectura de celda trasera de emisor pasivado (PERC) aumentada con revestimientos antirreflectantes avanzados. Al utilizar una oblea de silicio de tipo n rica en electrones en lugar del tipo p tradicional, creamos células solares con mayor potencial de voltaje y eficiencias de conversión superiores al 22 %.

Nuestros módulos fotovoltaicos tipo N integran estas células de silicio tipo n optimizadas con innovaciones de módulos inteligentes líderes en la industria. Los sensores integrados rastrean activamente el rendimiento del sistema, mientras que los optimizadores de energía duales extraen hasta la última gota de energía disponible. Los marcos robustos de grado marino, las carcasas IP68 y el estricto régimen de pruebas garantizan un funcionamiento duradero y confiable durante más de 30 años. Las implementaciones de campo en todo el mundo validan la superioridad de nuestros módulos tipo N frente a los sistemas tipo p convencionales.

Los altos factores de bifacialidad certificados, el excelente comportamiento en condiciones de poca luz, la resistencia superior a los puntos calientes y las tasas de degradación más de un 30 % más bajas demuestran las ventajas reales que nuestros módulos tipo n ofrecen para un rendimiento energético a largo plazo. Con una densidad de potencia probada en el campo, ventajas de eficiencia, seguridad y vida útil, nuestros módulos fotovoltaicos tipo N representan el estándar de oro de la industria, haciendo que la energía solar sea más rentable y accesible que nunca. Libere todo el potencial de sus activos fotovoltaicos con nuestra tecnología de vanguardia tipo n que establece el nuevo estándar solar.
 

Células solares monocristalino
No. de celdas 132 celdas
Dimensiones del módulo 2384×1303×33 milímetros
Peso 38,3 kg (84,4 libras)
Vaso 2.0 mm (0.08 pulgadas) Alta transmisión. Vidrio reforzado con calor recubierto de AR
Material encapsulante EVA/POE
Marco Aleación de aluminio anodizado de 30 mm (1,18 pulgadas)
Caja J Clasificación IP 68
cables Cable Tecnología Fotovoltaica 4.0mm2(0.006 pulgadas2), Retrato: 350/280 mm (13,78/11,02 pulgadas)
La longitud se puede personalizar
Conector MC4 EVO2 / TS4 PLUS / TS4*

 

 

Detalles de producto
 

 

Vertex N-NEG21C.20-675W-700W description

 


 

Parámetros mecánicos
 

Vertex N-NEG21C.20-675W-700W parameter

 

 

Características clave
 

Métricas de rendimiento incomparables
Estos módulos pioneros de tipo n superan los límites de eficiencia existentes gracias a arquitecturas celulares rediseñadas que exprimen hasta el último fotón para convertirlo en energía con un propósito. Estamos logrando rendimientos de paneles del mundo real que rivalizan con los prototipos de laboratorio más sofisticados.

Garantías de confiabilidad vertiginosas
Con una sólida selección de componentes, rigurosas pruebas de estrés AQT y análisis predictivos que informan el diseño, hemos diseñado el generador de energía más rentable de la industria, listo para capturar ganancias solares durante más de 30 años ininterrumpidos.

Inteligencia encarnada
Nuestro concepto pionero de módulo inteligente integra sensores ambientales, sistemas de seguridad y optimizadores de energía duales en cada panel para una recolección de energía adaptable a la escena y alineada con las necesidades de la red o de la aplicación. Bienvenido al futuro de los paneles solares conscientes de sí mismos.

Refinamiento cristalino perfeccionado
Aprovechando el silicio ultrapuro tipo N y las técnicas de dopaje de precisión perfeccionadas a lo largo de décadas, nuestras células monocristalinas manifiestan los límites teóricos de la conversión fotovoltaica en potencias de panel tangibles nunca antes posibles.

 

Certificados de producto
 

Trina vertex S certificates

 

 

Empaquetado del producto
 

Vertex S solar panel packaging

 


 

Proceso de producción
 

Trina Vertex S production process


 

Preguntas más frecuentes
 

P: ¿Cuáles son las diferencias entre el silicio tipo N y tipo p?
R: El silicio tipo N y tipo p son dos tipos diferentes de materiales semiconductores. El silicio tipo N tiene una mayor concentración de electrones que el silicio tipo p, lo que significa que tiene más electrones libres disponibles para conducir electricidad. Esta diferencia en la concentración de electrones conlleva una serie de ventajas para los módulos fotovoltaicos tipo N, como se mencionó en la sección anterior.

P: ¿Cómo se fabrican los módulos fotovoltaicos tipo N?
R: Los módulos fotovoltaicos tipo N se fabrican mediante un proceso similar al proceso utilizado para fabricar módulos fotovoltaicos tipo p. Sin embargo, existen algunas diferencias clave. En primer lugar, las obleas de silicio utilizadas para fabricar módulos de tipo N deben estar dopadas con impurezas de tipo n, como fósforo o arsénico. En segundo lugar, el proceso de metalización utilizado para crear los contactos eléctricos en los módulos debe diseñarse para tener en cuenta las diferentes propiedades eléctricas del silicio tipo N.

P: ¿Cuáles son las perspectivas futuras para los módulos fotovoltaicos tipo N?
R: Los módulos fotovoltaicos tipo N son una nueva tecnología prometedora que tiene el potencial de mejorar la eficiencia, la vida útil y la rentabilidad de la energía solar. A medida que la tecnología siga madurando, es probable que los módulos tipo N se adopten más ampliamente.

P: ¿Cuáles son algunos de los desafíos que enfrentan los módulos fotovoltaicos tipo N?
R: Uno de los principales desafíos que enfrentan los módulos fotovoltaicos tipo N es el mayor costo de fabricación. Esto se debe a los pasos adicionales necesarios para dopar las obleas de silicio y diseñar el proceso de metalización. Otro desafío es la falta de datos a largo plazo sobre el rendimiento y la confiabilidad de los módulos tipo N. A medida que haya más datos disponibles, es probable que se aborden estos desafíos.

 

 

 

 

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